SiC MOSFET 分立器件
碳化硅 MOSFET 具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅 MOSFET 器件替代傳統(tǒng)硅 IGBT 器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。主要適用于：光伏逆變、儲(chǔ)能、工業(yè)電源、新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等領(lǐng)域。
宏微碳化硅 MOSFET 分立器件具有低開關(guān)損耗、高工作結(jié)溫、低導(dǎo)通電阻等特點(diǎn)，產(chǎn)品具備足夠的魯棒性。
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VDSS (V)
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1200
重置篩選
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ID (A)
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50
重置篩選
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RDS(on) (mΩ)
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40
重置篩選
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QGD (nC)
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25
重置篩選
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VGS,op (V)
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-4/+18
重置篩選
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Qrr (nC)
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430
重置篩選
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Trr (ns)
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17.5
重置篩選
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Tjmax
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175℃
重置篩選
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Qualification
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Industrial
重置篩選
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Packages
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TO-247-4L
重置篩選
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Type
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VDSS (V)
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ID (A)
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RDS(on) (mΩ)
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QGD (nC)
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VGS,op (V)
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Qrr (nC)
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Trr (ns)
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Tjmax
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Qualification
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Packages
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篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
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篩選
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篩選
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篩選
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篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
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| 1200 | 50 | 40 | 25 | -4/+18 | 430 | 17.5 | 175°C | Industrial |
TO-247-4L 
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